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超宽禁带半导体材料器件研讨会在山大举行日期：2016-12-21　来源：山东大学新闻网　作者：

［本站讯］12月16日，超宽禁带半导体材料与器件研讨会在山东大学举行。中国科学院院士郑有炓、山东大学校长张荣、科技部高新司副司长曹国英、国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲、山东省科技厅厅长刘为民出席研讨会。研讨会开幕式由山东大学副校长李术才主持。

与会代表就超宽带隙半导体材料和器件发展过程中可能遇到的问题和瓶颈，从国家支持、材料性质（如掺杂、可加工性、热导特性、缺陷结构等）、设备研制、器件工艺等方面进行了深入细致的研讨，积极为超宽禁带半导体材料与器件发展献计献策。部分专家学者围绕超宽禁带半导体材料与器件领域的前沿和热点作了专题学术报告。中科院半导体所李晋闽研究员、北京大学沈波教授、南京大学陆海教授等30余名专家学者参加研讨会。

会议认为，超宽带隙半导体的研究契合国家发展战略，对于我国抢占技术制高点、掌握国际竞争主导权具有重要意义，尤其是以金刚石为代表的超宽禁带半导体材料具有独特优点，是对第三代宽禁带半导体产业的完善和坚强补充。超宽禁带半导体材料与器件的发展要充分借鉴半导体材料与器件的发展规律，以市场为导向，通过有效组织和联合攻关，实现核心技术突破；瞄准产业化目标，通过协同创新，拓展应用基础；以半导体论坛、学术会议为契机开展学术和产业的常态化交流。十三五期间在布局第三代宽禁带半导体材料与器件的同时，要注重超宽禁带半导体应用基础研究，带动全宽禁带半导体全链条协同发展、整体布局，要大力建设研发队伍和公共平台，聚焦国家需求，着力解决事关经济社会发展和国家安全的重大关键技术问题。

本次会议由山东大学和山东省科技厅主办，济南中乌新材料有限公司协办。会议主题是推进我国以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料和器件研究及产业发展。研讨会立足国际发展前沿，着眼中国十三五规划，聚焦超宽禁带半导体材料制备、工艺技术、关键设备及半导体器件应用，旨在搭建产业、学术、资本的高质量交流平台，共同探讨超宽禁带半导体材料及器件应用发展的新技术、新趋势，积极推动我国超宽禁带半导体材料和器件应用的发展。

【作者：文／徐现刚 图／刘婷婷　来自：晶体所 宣传部 新闻中心　编辑：新闻中心总编室　责任编辑：竞一 亭亭】

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